时间：2025/8/5 22:18:03
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IXGP12N100U1 是一款由 Littelfuse（原 IXYS 公司生产）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高电压、高频率开关应用，具有优异的导通和开关性能。该器件采用 TO-247 封装，适合用于电源转换、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）等应用。该器件的额定漏源电压为 1000V，最大连续漏极电流为 12A。
漏源电压(Vds)：1000V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：12A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXGP12N100U1 具有以下主要特性：高电压能力（1000V Vds），使其适用于高压电源系统；低导通电阻（Rds(on)），确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗；快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和开关电源；
此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和耐用性，能够在较高环境温度下稳定运行；
其TO-247封装形式具备良好的散热性能，便于安装和使用；
该器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和高可靠性要求的应用场景。
IXGP12N100U1 主要应用于高压功率转换系统，例如开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电机控制电路以及工业自动化设备中的高压开关控制模块；
该器件也适用于需要高耐压和高效能的电力电子系统，如医疗设备、测试仪器和高功率LED照明驱动电路；
其高频开关性能使其在谐振变换器和软开关拓扑中表现出色。
IXGP12N100T1, IXGP15N100U1, STP12N100FI
