IXGN80N30BD1 时间：2025/8/6 4:06:55 阅读：30

IXGN80N30BD1 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高功率密度和高效率的开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和工业自动化设备中。该器件采用了先进的高压技术，具备优异的导通和开关性能。其额定电压为 300V，最大漏极电流可达 80A，适合在高负载环境下工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：300V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　最大漏极电流 Id：80A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.045Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散：300W

特性

IXGN80N30BD1 具备多项优异的电气和物理特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。其次，该器件具有出色的热稳定性和耐高温能力，能够在严苛的环境中稳定运行。
　　此外，该 MOSFET 内部结构设计优化了开关性能，使其在高频应用中表现出色，减少开关损耗并提高响应速度。IXGN80N30BD1 还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定工作，增强系统的可靠性和耐用性。
　　该器件的封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能和机械强度，便于安装在散热器上以提高散热效率。栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提升了设计的灵活性。
　　值得一提的是，IXGN80N30BD1 符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适用于对环保要求较高的工业和消费类电子产品。

应用

IXGN80N30BD1 主要应用于高功率开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、工业自动化控制系统以及高功率 LED 驱动电路等场景。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，特别适合需要高效率和高可靠性的电源管理系统。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统中，该 MOSFET 也能发挥出色性能。同时，其优异的雪崩耐受能力也使其适用于需要频繁开关操作的负载控制电路，如工业加热设备和电动工具控制模块。