时间：2025/8/5 21:03:37
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IXGN75N60B是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能功率转换的电子电路中。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻以及快速开关特性，适用于电源供应器、电机驱动、DC-DC转换器以及工业自动化设备等应用领域。IXGN75N60B采用TO-247封装形式，具备良好的散热性能，以确保在高功率操作下的稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：75A
漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.15Ω（最大）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
IXGN75N60B具有多项突出特性，首先是其高耐压能力，600V的漏极-源极击穿电压使其适用于高电压环境下的功率转换任务。其次，其低导通电阻（RDS(on)）约为0.15Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备快速开关能力，适用于高频开关应用，从而减小外围电路的体积并提升系统响应速度。
该器件的封装形式为TO-247，具有良好的热管理性能，便于安装散热片以提升散热效率。同时，IXGN75N60B具备高可靠性，在高温和高电流条件下仍能保持稳定运行，适用于工业级应用环境。其栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种常见的MOSFET驱动电路设计。
此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在突发性过载或短路情况下保持器件的安全运行，从而提高整体系统的稳定性和耐用性。
IXGN75N60B广泛应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converters）、电机控制与驱动系统、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及电池管理系统（BMS）等。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效率电源转换的理想选择，同时在电动汽车充电器、太阳能逆变器等新能源应用中也具有较高的适用性。
在电机驱动应用中，IXGN75N60B可用于H桥电路中作为功率开关，实现电机的正反转控制和调速功能。在电源管理模块中，该器件可作为主开关用于控制高电压直流输入的通断，实现电源的高效分配与管理。此外，在LED照明驱动、家用电器控制等消费类电子领域也有广泛的应用潜力。
IXGN75N60C, IXFN75N60P, IRFP460LC, STF75N60M2
