时间：2025/8/6 6:33:11
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IXGN50N120C3H1是一款由IXYS公司生产的高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片，主要用于高电压和高电流应用。该器件集成了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优点，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压(Vce)：1200V
最大集电极电流(Ic)：50A
最大工作温度：150℃
封装类型：TO-247
导通压降：约2.1V @ Ic=50A, Vge=15V
短路耐受能力：6μs
最大栅极-发射极电压(Vge)：±20V
IXGN50N120C3H1具有低饱和压降，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件具备良好的热稳定性和短路耐受能力，确保在极端工作条件下仍能保持性能稳定。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了系统的响应速度和效率。该IGBT还具有较高的抗干扰能力，能够在高噪声环境中正常工作，适用于各种高要求的工业环境。
IXGN50N120C3H1的设计优化了内部结构，使其在高频率下具有出色的性能，从而减少了外部滤波器的需求并简化了电路设计。其高可靠性使其成为许多关键应用的首选器件。
IXGN50N120C3H1广泛应用于工业电机驱动、逆变器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等高功率场合。其高效的能量转换能力使其在需要高效率和高可靠性的系统中表现出色。此外，该器件也适用于各种电力电子变换器，如DC-AC逆变器和AC-AC控制器。
IXGN50N120T、IXGN40N120C3、FGA50N120ANTD
