类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1000V
　　最大漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V~6.5V
　　最大栅极电压：±20V
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：200W

IXGN20N100U1具有多项优异的电气和热性能特性，使其在高功率应用中表现出色。其1000V的高耐压能力，使该器件适用于高压系统，如高频电源、高压电机驱动和DC-AC逆变器。该MOSFET的导通电阻较低（仅0.38Ω），有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　此外，IXGN20N100U1采用了高耐雪崩能量设计，增强了在高压开关应用中的可靠性和稳定性。其TO-247封装结构具有良好的热传导性能，有利于热量的快速散发，从而提高器件在高功率负载下的使用寿命。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围宽（±20V），可与多种驱动电路兼容，简化了设计过程。栅极阈值电压范围为4.5V~6.5V，确保了在不同驱动条件下都能可靠导通和关断。
　　IXGN20N100U1还具有优异的短路和过载保护能力，适用于对系统稳定性要求较高的工业控制和电源转换设备。

IXGN20N100U1广泛应用于多个高功率电子系统领域，如高频开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变系统以及工业自动化控制设备。此外，它还适用于高压LED驱动电源、电池管理系统（BMS）以及各种电力转换模块的设计。由于其高电压和高电流的性能，该器件在需要高可靠性的应用场景中尤其受欢迎。

IXGN20N100T1, IXFN20N100P, STW20NM100, FGP20N100AND