类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1000V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大连续漏极电流（ID）：20A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：80A
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：0.28Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：140nC（典型值）
　　漏源击穿电压（BVDSS）：1000V
　　漏极电流（ID）@ 25°C：20A

IXGN20N100A 具有多种优异的电气和热性能特性，使其在高电压、高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件具有较高的漏源击穿电压（BVDSS），能够承受高达 1000V 的电压，适用于高压系统的设计。这种高耐压能力使其在电力电子变换器、高压电源、电机控制等领域具有广泛的应用。
　　其次，IXGN20N100A 的导通电阻（RDS(on)）较低，最大值为 0.28Ω，能够在导通状态下提供较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。此外，该器件具有较高的连续漏极电流（ID）能力，为 20A，适用于需要较高电流承载能力的应用场景。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和散热能力，其 TO-247 封装形式有助于有效散热，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值为 140nC，有助于提高开关速度，从而减少开关损耗。
　　IXGN20N100A 还具有较强的抗过载能力，最大脉冲漏极电流（IDM）可达 80A，适合应对瞬时高电流的工况。同时，其最大功耗（PD）为 300W，能够在高功率密度环境中稳定运行。
　　此外，该器件的工作温度范围较宽，从 -55°C 到 +150°C，适应性强，适用于各种恶劣环境条件下的应用，如工业控制、电源管理、新能源系统等。
　　综合来看，IXGN20N100A 凭借其高压耐受能力、低导通电阻、高电流容量、良好的热管理和宽温度范围，成为高压功率电子系统中理想的开关元件。

IXGN20N100A 广泛应用于各种高电压、高功率电子系统中，适用于多种工业和消费类电子产品。
　　首先，该器件常用于电力电子变换器，如 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器和 DC-AC 逆变器等。其高耐压能力和大电流容量使其成为高压电源系统中的关键组件，可用于高压直流输电、工业电源、开关电源（SMPS）等场合。
　　其次，IXGN20N100A 在电机控制和驱动系统中也有广泛应用。例如，在工业自动化系统中，它可用于控制高压电机的启停和调速，提供高效的功率切换功能。此外，该器件还可用于电焊机、感应加热设备等高功率负载控制系统中。
　　该 MOSFET 也适用于新能源系统，如太阳能逆变器、风能转换系统等。在这些应用中，IXGN20N100A 可用于将太阳能电池板或风力发电机产生的直流电转换为交流电，以供家庭或电网使用。其高效、稳定的特性有助于提高新能源系统的整体效率。
　　此外，该器件还可用于高压 LED 照明系统、电子镇流器、高频电源等消费类电子产品中，提供高效的功率控制和管理功能。
　　在测试和测量设备中，IXGN20N100A 也可用于构建高压负载开关或电源控制模块，满足高精度测试的需求。
　　总之，IXGN20N100A 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于工业控制、电源管理、新能源、消费电子等多个领域，是高压功率电子系统中的重要组成部分。

SiHP10N100, FQA20N100, STW20NK100Z