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IXGN200N60B3 发布时间 时间:2023/3/6 14:56:07 查看 阅读:534

    类别:半导体模块

    家庭:IGBTs

    系列:GenX3?

 


目录

概述

    类别:半导体模块

    家庭:IGBTs

    系列:GenX3?

    IGBT 类型:PT

    配置:单一

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V

    Vge, Ic时的最大Vce(开):1.5V @ 15V, 100A

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):300A

    电流 - 集电极截止(最大):50?A

    Vce 时的输入电容 (Cies):26nF @ 25V

    功率 - 最大:830W

    输入:标准型

    NTC 热敏电阻:无

    安装类型:底座安装

    封装/外壳:SOT-227, miniBLOC

    供应商设备封装:*



资料

厂商
IXYS

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IXGN200N60B3参数

  • 标准包装20
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.5V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)300A
  • 电流 - 集电极截止(最大)50µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)26nF @ 25V
  • 功率 - 最大830W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B