IXGN200N60B 时间：2025/8/6 11:09:14 阅读：27

IXGN200N60B 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极型晶体管），适用于需要高效率和高性能的工业和电力电子应用。该器件结合了 MOSFET 的易驱动特性和双极型晶体管的低导通压降优势，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。IXGN200N60B 采用 TO-247 封装，适合用于电机驱动、逆变器、UPS 系统、焊接设备以及可再生能源系统等应用。

参数

最大集电极-发射极电压(Vce)：600V
　　最大集电极电流(Ic)：200A
　　最大工作温度：150°C
　　栅极-发射极电压范围(Vge)：±20V
　　导通压降(Vce_sat)：约2.1V（典型值）
　　短路耐受能力：有
　　封装类型：TO-247

特性

IXGN200N60B 是一款高性能 IGBT 器件，具有多项优秀的电气和热性能。首先，其最大集电极-发射极电压为 600V，能够满足大多数中高压应用的需求。其次，该 IGBT 可承受高达 200A 的集电极电流，适合大功率场合使用。此外，该器件的导通压降较低，典型值为 2.1V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。IXGN200N60B 还具备良好的短路耐受能力，提高了在极端工况下的可靠性和稳定性。该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容标准的 IGBT 和 MOSFET 驱动电路，便于系统设计和集成。
　　在热性能方面，IXGN200N60B 采用 TO-247 封装，具有良好的散热能力，能够在高功率密度环境下保持稳定运行。其最大工作温度可达 150°C，适应工业环境的严苛要求。此外，该器件具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用，有助于提高系统整体效率并减少发热问题。IXGN200N60B 还具备良好的抗干扰能力和较长的使用寿命，适合在复杂电磁环境中稳定运行。

应用

IXGN200N60B 广泛应用于多种高功率和高性能的电力电子系统中。其主要应用领域包括工业电机驱动、逆变器系统、不间断电源（UPS）、焊接设备、电能质量调节装置以及可再生能源系统如太阳能逆变器和风力发电变流器。此外，该 IGBT 也可用于电动汽车充电设备、电能存储系统和智能电网设备中，提供高效、可靠的功率转换能力。IXGN200N60B 的高电流容量和低导通压降特性使其在高频开关应用中表现出色，有助于提高系统效率并降低热损耗。由于其良好的短路保护能力和高温稳定性，该器件也适合用于需要高可靠性的工业自动化和电力控制系统中。