IXGN100N160A 时间：2025/8/6 5:55:36 阅读：21

IXGN100N160A 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用。该器件具有高耐压能力和较大的导通电流能力，适用于工业电源、电机驱动、电动汽车（EV）充电系统、可再生能源系统等高功率应用场景。

参数

类型：MOSFET（N沟道增强型）
　　最大漏源电压（Vds）：1600V
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 75mΩ
　　栅极电荷（Qg）：约 240nC
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：模块封装（如 TO-247 或等效模块）

特性

IXGN100N160A 具备多项高性能特性。首先，其高耐压能力（1600V Vds）使其适用于高压电源系统和工业控制设备，能够在高电压环境下稳定运行。其次，该器件的最大漏极电流为 100A，能够在大电流负载下保持低导通损耗，提高系统效率。此外，其导通电阻（Rds(on)）仅为 75mΩ，降低了导通状态下的功率损耗，有助于减少发热，提高整体能效。栅极电荷（Qg）约 240nC，支持较快的开关速度，从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。器件的最大工作温度可达 150°C，具备良好的热稳定性，适用于高温环境下的工作场景。封装形式通常为模块封装（如 TO-247 或等效模块），有助于提高散热性能，增强器件的可靠性和使用寿命。

应用

IXGN100N160A 被广泛应用于高功率电子系统中。其高耐压和大电流能力使其适用于工业电源、不间断电源（UPS）、电动车辆充电系统、光伏逆变器、电机驱动器和电力电子变换器等场景。在电动汽车充电系统中，该器件可用于 DC-DC 变换器或 AC-DC 整流器，以实现高效能的能量转换。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器，该器件可支持高效的电能转换，提高系统的整体能效。此外，该器件也可用于高功率电机驱动器中，以实现快速响应和稳定的电机控制。