时间：2025/8/5 19:44:29
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IXGM20N60是一款由IXYS公司（现属于Littelfuse）设计的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。这款MOSFET采用TO-247封装，具备高耐压、低导通电阻和优异的热性能，适用于各种高功率电子设备，如电源转换器、电机驱动和工业控制系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：20A
最大漏源电压：600V
导通电阻：0.22Ω（典型值）
栅极电荷：57nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXGM20N60 MOSFET具备多项高性能特性，适用于苛刻的工业环境。其高耐压能力（600V）使其在高压系统中表现出色，同时具备较低的导通电阻（0.22Ω），能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）为57nC，有助于提高开关速度，减少开关损耗。
该MOSFET采用TO-247封装形式，具备良好的热管理和散热性能，能够在高功率密度应用中保持稳定运行。器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适合在极端环境条件下使用。IXGM20N60还具备较高的雪崩能量耐受能力，提高了在突发过压情况下的可靠性。
此外，该MOSFET的结构设计优化了开关性能，减少开关过程中的能量损耗，适合高频开关应用。其栅极驱动特性稳定，能够与常见的MOSFET驱动电路兼容，简化了系统设计。
IXGM20N60广泛应用于多种高功率电子系统中，例如AC-DC电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、工业自动化设备以及照明控制系统。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效能、高可靠性电源系统的重要组成部分。在太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，该MOSFET也常用于功率开关环节，以提高系统整体效率和稳定性。
IXFH20N60P, IRFP460, FDPF460, STP20N60
