时间：2025/8/5 13:36:47
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IXGM17N100A 是由 IXYS 公司生产的一款高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高电压和高电流的功率电子设备中。该器件采用 TO-247 封装，具备良好的热性能和高可靠性，适用于开关电源、电机控制、逆变器和电源管理系统等领域。
类型: N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (ID): 17A
最大漏极-源极电压 (VDS): 1000V
最大栅极-源极电压 (VGS): ±30V
导通电阻 (RDS(on)): 0.45Ω @ VGS = 10V
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
封装类型: TO-247
IXGM17N100A 采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力（1000V VDS）使其适用于高压直流和交流开关应用。此外，该 MOSFET 具备出色的热稳定性，能够在高功率条件下保持良好的性能。其栅极驱动电压范围宽（最高可达 ±30V），增强了在不同驱动电路中的适应性。
该器件还具备快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器应用。此外，TO-247 封装设计有助于有效散热，延长器件寿命并提高系统稳定性。IXGM17N100A 还具有抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持安全运行。
IXGM17N100A 常用于高压开关电源（SMPS）、光伏逆变器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和电源管理系统。其高电压和高电流特性使其成为电力电子系统中理想的功率开关器件。此外，该 MOSFET 还适用于各种需要高可靠性和高效能的功率转换设备。
IXFP17N100A, IRFP460LC, STF15N100M
