时间：2025/8/6 1:41:49
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IXGK82N120A3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT），适用于高电压和高电流的应用场景。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，具有高效能和高可靠性的特点。IXGK82N120A3通常用于工业控制、电源转换、电机驱动、逆变器及焊接设备等高功率系统中。
集电极-发射极电压（Vce）：1200 V
集电极电流（Ic）：82 A（Tc=25°C）
栅极-发射极电压（Vge）：±20 V
最大工作温度（Tj）：150°C
短路耐受能力：5 μs
导通压降（Vce_sat）：约2.1 V（典型值）
封装形式：TO-247AC
功率耗散（Ptot）：300 W
IXGK82N120A3 的设计使其在高电压和大电流环境下仍能保持稳定工作。该器件采用了先进的沟道技术和场阻断结构，有效降低了导通压降并提高了开关速度。此外，其内置的反向恢复二极管可减少外部电路的复杂性，并提高整体系统的效率。
该IGBT还具有优异的热稳定性和过载能力，可在极端工作条件下保持较高的可靠性。其封装设计（TO-247AC）提供了良好的散热性能，适用于需要高功率密度的应用。IXGK82N120A3 的栅极驱动要求较低，能够与标准的IGBT驱动器兼容，简化了电路设计。
该器件还具备较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，从而提高了系统的安全性。
IXGK82N120A3 广泛应用于高功率电子设备中，包括工业电机驱动、变频器、UPS不间断电源、电焊机、太阳能逆变器以及感应加热系统等。其高电压和高电流处理能力使其成为高压直流（HVDC）转换系统和电动汽车充电设备中的理想选择。此外，该器件也适用于各种需要高效功率转换的电力电子应用。
SKM82GB120D | FF800R12KS4 | IRGP50B60PD1 | STGY82N120AFD
