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IXGK82N120A3 发布时间 时间:2025/8/6 1:41:49 查看 阅读:21

IXGK82N120A3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT),适用于高电压和高电流的应用场景。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,具有高效能和高可靠性的特点。IXGK82N120A3通常用于工业控制、电源转换、电机驱动、逆变器及焊接设备等高功率系统中。

参数

集电极-发射极电压(Vce):1200 V
  集电极电流(Ic):82 A(Tc=25°C)
  栅极-发射极电压(Vge):±20 V
  最大工作温度(Tj):150°C
  短路耐受能力:5 μs
  导通压降(Vce_sat):约2.1 V(典型值)
  封装形式:TO-247AC
  功率耗散(Ptot):300 W

特性

IXGK82N120A3 的设计使其在高电压和大电流环境下仍能保持稳定工作。该器件采用了先进的沟道技术和场阻断结构,有效降低了导通压降并提高了开关速度。此外,其内置的反向恢复二极管可减少外部电路的复杂性,并提高整体系统的效率。
  该IGBT还具有优异的热稳定性和过载能力,可在极端工作条件下保持较高的可靠性。其封装设计(TO-247AC)提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度的应用。IXGK82N120A3 的栅极驱动要求较低,能够与标准的IGBT驱动器兼容,简化了电路设计。
  该器件还具备较高的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏,从而提高了系统的安全性。

应用

IXGK82N120A3 广泛应用于高功率电子设备中,包括工业电机驱动、变频器、UPS不间断电源、电焊机、太阳能逆变器以及感应加热系统等。其高电压和高电流处理能力使其成为高压直流(HVDC)转换系统和电动汽车充电设备中的理想选择。此外,该器件也适用于各种需要高效功率转换的电力电子应用。

替代型号

SKM82GB120D | FF800R12KS4 | IRGP50B60PD1 | STGY82N120AFD

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IXGK82N120A3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格25 : ¥221.33160管件
  • 系列GenX3?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)260 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)580 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.05V @ 15V,82A
  • 功率 - 最大值1250 W
  • 开关能量5.5mJ(开),12.5mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷340 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值34ns/265ns
  • 测试条件600V,80A,2 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商器件封装TO-264(IXGK)