IXGK75N250 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),广泛用于需要高电压和大电流的工业控制、电力电子设备及电机驱动系统中。该器件集成了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适用于高频开关应用。
类型:IGBT
集电极-发射极击穿电压:2500V
最大集电极电流:75A
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-247
栅极-发射极电压范围:±20V
导通压降:约2.1V @ IC=75A
短路耐受能力:具备
功率耗散:400W
IXGK75N250 的主要特性包括高电压阻断能力和强大的电流处理能力,适用于恶劣的工业环境。
该器件采用了先进的沟道型IGBT技术,提供了较低的导通压降和更快的开关速度,从而减少了开关损耗。
此外,它具备良好的短路耐受能力,提高了系统的可靠性。
由于其高可靠性和耐久性,IXGK75N250 在电机控制、逆变器和电源转换系统中被广泛采用。
IXGK75N250 常用于工业电机驱动、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电焊设备、UPS系统、感应加热装置以及任何需要高功率开关的场合。
IXGK75N250A, IXGK75N250AF, IXGK80N250