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IXGK75N250 发布时间 时间:2025/8/6 9:47:19 查看 阅读:28

IXGK75N250 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),广泛用于需要高电压和大电流的工业控制、电力电子设备及电机驱动系统中。该器件集成了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适用于高频开关应用。

参数

类型:IGBT
  集电极-发射极击穿电压:2500V
  最大集电极电流:75A
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-247
  栅极-发射极电压范围:±20V
  导通压降:约2.1V @ IC=75A
  短路耐受能力:具备
  功率耗散:400W

特性

IXGK75N250 的主要特性包括高电压阻断能力和强大的电流处理能力,适用于恶劣的工业环境。
  该器件采用了先进的沟道型IGBT技术,提供了较低的导通压降和更快的开关速度,从而减少了开关损耗。
  此外,它具备良好的短路耐受能力,提高了系统的可靠性。
  由于其高可靠性和耐久性,IXGK75N250 在电机控制、逆变器和电源转换系统中被广泛采用。

应用

IXGK75N250 常用于工业电机驱动、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电焊设备、UPS系统、感应加热装置以及任何需要高功率开关的场合。

替代型号

IXGK75N250A, IXGK75N250AF, IXGK80N250

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IXGK75N250参数

  • 制造商IXYS
  • 配置Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO2500 V
  • 集电极—射极饱和电压2.7 V
  • 栅极/发射极最大电压30 V
  • 在25 C的连续集电极电流170 A
  • 栅极—射极漏泄电流200 nA
  • 功率耗散780 W
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装 / 箱体TO-264
  • 最小工作温度- 55 C
  • 安装风格Through Hole