时间：2025/8/6 7:28:30
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IXGK72N60B3H1 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET器件，采用先进的CoolMOS?技术，适用于高效率、高频开关电源应用。该器件具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能，广泛应用于服务器电源、通信电源、不间断电源（UPS）以及工业电源系统中。IXGK72N60B3H1属于TO-247封装的N沟道增强型MOSFET，具备良好的可靠性和耐用性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）：72A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为23mΩ（最大值28mΩ）
栅极电荷（Qg）：170nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXGK72N60B3H1 是一款基于英飞凌CoolMOS?技术的高性能功率MOSFET，其核心优势在于极低的导通电阻和开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。该器件的RDS(on)典型值仅为23mΩ，极大地降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流处理能力，额定连续漏极电流可达72A，使其适用于大功率电源转换系统。
该器件采用先进的封装技术，TO-247封装形式具备良好的热管理和散热性能，能够有效降低工作温度，提高系统稳定性与寿命。此外，IXGK72N60B3H1具备较强的抗雪崩能力和过热保护特性，确保在极端工作条件下的可靠运行。
在开关特性方面，该MOSFET的栅极电荷（Qg）仅为170nC，有助于降低驱动损耗，提高开关速度，适用于高频率PWM控制电路。同时，其栅极-源极电压（VGS）范围为-20V至+20V，支持广泛的驱动电路设计，便于集成到各种功率变换拓扑中。
IXGK72N60B3H1 广泛应用于多种高功率密度和高效率的电源系统中，包括服务器电源、通信电源模块、不间断电源（UPS）、工业电源设备以及光伏逆变器等。由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET特别适用于LLC谐振转换器、半桥和全桥拓扑结构的DC-DC变换器，以及PFC（功率因数校正）电路中。此外，在电动汽车充电设备和储能系统中，该器件也常用于主开关电路和同步整流部分。
IXFK72N60P、IXGH72N60B3H1、SPW72N60CFD7
