您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXGK400N30A3

IXGK400N30A3 发布时间 时间:2025/8/6 11:33:27 查看 阅读:27

IXGK400N30A3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率双极型晶体管(BJT)模块,主要用于高电压和高电流的应用场合。该器件属于NPN型晶体管,具有较高的耐压能力和大电流承载能力,适用于工业控制、电源转换、电机驱动、焊接设备等高功率电子系统中。

参数

集电极-发射极击穿电压(VCEO):300V
  最大集电极电流(IC):400A
  最大功耗(PD):500W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247AC
  晶体管类型:NPN

特性

IXGK400N30A3 采用先进的硅芯片技术,具备优异的热稳定性和长期可靠性。其高耐压特性使其能够在高压环境下稳定工作,而大电流承载能力则确保了在高功率应用中的性能表现。该器件具有良好的热导性能,能够在高负载下保持较低的温升,从而延长使用寿命。此外,IXGK400N30A3的封装设计便于安装和散热,适合在各种工业环境中使用。该晶体管还具备较高的开关速度,能够在高频开关应用中表现出色。

应用

IXGK400N30A3 主要应用于高功率电子设备中,例如直流电机驱动器、逆变器、焊接机、工业电源、不间断电源(UPS)系统以及各种高功率开关电路。由于其优异的电气性能和可靠性,该晶体管也常用于需要高电流和高压耐受能力的自动化控制系统。

替代型号

IXGK400N30A3 可以用 IXGK400N30C2 或 IXGK400N30A 进行替代,这些型号在电气参数和封装形式上相近,适用于相同的应用场景。

IXGK400N30A3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXGK400N30A3参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.15V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)400A
  • 功率 - 最大1000W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264AA
  • 包装管件