IXGK35N120C 时间：2025/8/6 6:54:27 阅读：32

IXGK35N120C是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率和高频率应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性，适用于电源转换、电机控制、逆变器和其他需要高效率和高性能的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：35A
　　漏-源电压（VDS）：1200V
　　栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.15Ω
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

IXGK35N120C具有多项优异的电气特性。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　此外，该MOSFET采用了先进的平面技术，确保了良好的热稳定性和可靠性。
　　该器件的快速开关特性减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　由于其高耐压能力（1200V），IXGK35N120C能够在高电压环境下稳定工作，适用于工业电源、逆变器和电机驱动器等场景。
　　该MOSFET的封装设计优化了热管理，有助于提高器件的散热性能，延长使用寿命。

应用

IXGK35N120C广泛应用于多个高功率领域，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、光伏逆变器和工业自动化设备。
　　在电源管理系统中，该MOSFET可用于高效能电源转换，提高整体系统的能效。
　　在电机驱动应用中，IXGK35N120C的高耐压和低导通电阻使其成为理想的功率开关器件。
　　此外，该器件还可用于电池管理系统、电能质量控制设备和不间断电源（UPS）系统。