型号：IXGK35N120B
　　类型：IGBT
　　集电极-发射极击穿电压（BVCES）：1200 V
　　集电极电流（IC @ TC=25°C）：35 A
　　集电极电流（IC @ TC=80°C）：24 A
　　集电极峰值电流（ICM）：70 A
　　门极-发射极电压（VGES）：±20 V
　　饱和压降（VCE(sat) @ IC=35A, VGE=15V）：约3.0 V
　　开关时间（ton/toff）：典型值分别为 100ns / 350ns
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-40°C 至 +150°C
　　热阻（RthJC）：约0.35 °C/W
　　封装类型：TO-247 或等效螺栓型封装

IXGK35N120B的核心技术基于IXYS成熟的IGBT制造工艺，采用了优化的平面栅结构与场截止层设计，使其在1200V高压应用中实现了优异的开关速度与导通损耗之间的平衡。该器件在额定工作条件下表现出较低的饱和压降（VCE(sat)），典型值约为3.0V，在IC=35A且VGE=15V时可显著降低导通期间的功率损耗，从而提升系统整体能效。同时，其开关特性经过优化，开通时间和关断时间分别典型值为100ns和350ns，能够在较高的开关频率下运行，适用于高频逆变和PWM控制场合。这种快速开关能力减少了开关过程中的能量损耗，有助于减小滤波元件的体积和成本。
　　该IGBT具备良好的热稳定性和可靠性，最大工作结温可达+150°C，适合在高温工业环境中长期运行。其热阻RthJC约为0.35°C/W，表明从结到外壳的热量传递效率较高，有利于通过散热器有效导出热量，防止局部过热导致器件失效。此外，器件内部集成了一只快速恢复反并联二极管，该二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，能够有效减少换流过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统电磁兼容性。这一特性在桥式拓扑结构中尤为重要，例如三相逆变器或H桥驱动器。
　　IXGK35N120B还具备较强的短路耐受能力，在规定的门极电压和工作条件下可承受数微秒的短路电流而不发生永久性损坏，这为系统提供了宝贵的故障响应时间，便于控制器执行保护动作。其门极阈值电压（VGE(th)）典型值在6~7V之间，确保在正常驱动信号下可靠导通，同时避免因噪声干扰引起的误触发。器件支持±20V的门极-发射极电压范围，允许使用负偏压关断，增强抗干扰能力和关断可靠性。此外，该IGBT符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，适用于绿色能源和环保型电力电子设备的设计。

IXGK35N120B主要面向中高功率电力电子变换系统，广泛用于工业、可再生能源和电力传输领域。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-AC转换级，将光伏阵列产生的直流电高效地转换为交流电并入电网，其高耐压能力和低导通损耗有助于提升逆变效率并降低系统温升。在风力发电系统中，它常用于变流器的主功率回路，实现发电机侧与电网之间的能量双向流动，支持变速恒频运行。此外，在不间断电源（UPS）系统中，IXGK35N120B可用于逆变模块，确保市电中断时负载仍能获得稳定纯净的交流输出。
　　在工业电机驱动方面，该IGBT适用于中压变频器，用于控制交流异步电机或永磁同步电机的速度与转矩，广泛应用于风机、水泵、压缩机和传送带等设备。其快速开关特性支持矢量控制和直接转矩控制等高级调速算法。在感应加热和焊接设备中，IXGK35N120B可用于构建串联或并联谐振逆变器，产生高频交变电流以实现金属材料的快速加热或熔接。此外，该器件还可用于高压直流电源、电镀电源、有源滤波器（APF）和动态电压调节器（DVR）等电能质量治理装置中，提供精确可控的功率输出。由于其高可靠性和宽温度工作范围，也适合在轨道交通、电动汽车充电桩等严苛环境中使用。

IXGN35N120B
　　IXGH35N120B
　　FF300R12KS4
　　SKM35GB12T4