您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXGK120N60B

IXGK120N60B 发布时间 时间:2025/8/6 9:25:40 查看 阅读:26

IXGK120N60B是一款由Littelfuse公司生产的高电压、高电流的双极型晶体管(BJT),主要用于功率电子应用。该器件具有较高的电流容量和耐压能力,适用于需要大功率处理能力的工业控制、电源转换和电机驱动等领域。

参数

类型:双极型晶体管(BJT)
  极性:NPN
  最大集电极电流:120A
  最大集电极-发射极电压:600V
  最大功耗:300W
  电流增益范围:10-50
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

IXGK120N60B具备高电流容量和高耐压能力,使其能够在高功率条件下稳定工作。该晶体管采用了先进的硅技术,提供了良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作环境下保持性能。
  其高电流增益(hFE)范围允许设计工程师在电路设计中实现更高的灵活性。此外,该器件的封装设计优化了散热性能,有助于在高功率应用中保持较低的结温,从而延长器件寿命。
  由于其高电压和高电流的特性,IXGK120N60B在开关电源、电机控制、逆变器和工业自动化设备中广泛应用。该晶体管还具有较低的饱和电压,有助于降低功耗并提高系统的整体效率。

应用

IXGK120N60B主要用于工业电子设备,如开关电源、逆变器、电机驱动器和电源管理系统。此外,它还适用于需要高功率处理能力的电力电子设备,如不间断电源(UPS)、电焊机和高功率放大器。在这些应用中,IXGK120N60B能够提供可靠的开关和放大功能,确保系统稳定运行。

替代型号

IXGK150N60B, IXGK100N60B

IXGK120N60B推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXGK120N60B资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXGK120N60B参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.1V @ 15V,120A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200A
  • 功率 - 最大660W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264AA
  • 包装管件