时间：2025/8/6 8:22:16
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IXGH85N30C3 是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高电压和高效率的应用设计。该器件采用第三代C4D（Coated 4th Dimension）技术，具有低导通电阻、高开关速度和卓越的热性能，适用于各种电力电子系统，如电源供应器、电机控制、太阳能逆变器和焊接设备。IXGH85N30C3的额定电压为300V，最大漏极电流可达85A，使其在高功率密度设计中表现出色。
型号: IXGH85N30C3
类型: N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vdss): 300V
最大漏极电流(Id): 85A
导通电阻(Rds(on)): 25mΩ（典型值）
最大功耗(Pd): 300W
工作温度范围: -55°C 至 175°C
封装类型: TO-247
栅极电荷(Qg): 140nC
输入电容(Ciss): 3800pF
开启阈值电压(Vgs(th)): 4.5V
IXGH85N30C3采用了先进的硅技术与优化的封装设计，使其在高功率应用中表现出优异的电气性能和热管理能力。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流下具有较小的功率损耗，从而提高系统效率。此外，该MOSFET具有出色的开关性能，能够快速响应栅极信号，减少开关损耗并提高系统的响应速度。
该器件的封装采用TO-247形式，具备良好的散热能力和机械稳定性，适合在高温环境下运行。其高耐压能力和过流保护特性，使IXGH85N30C3在极端工作条件下仍能保持稳定运行。
IXGH85N30C3还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，能够在突发的高能量事件中保持器件的完整性，从而提高系统的可靠性。此外，该MOSFET的栅极驱动要求较低，适合与多种类型的驱动电路配合使用，简化了系统设计。
IXGH85N30C3广泛应用于高功率电子系统中，例如：
- 电源供应器：用于DC-DC转换器、AC-DC整流器等，提供高效率的功率转换。
- 电机驱动：适用于变频器和伺服电机控制，实现精确的转速和扭矩控制。
- 太阳能逆变器：用于光伏系统中的直流到交流转换，提升能源转换效率。
- 焊接设备：提供高电流输出，支持稳定的焊接过程。
- 不间断电源（UPS）：在市电中断时提供快速切换和稳定的电力输出。
由于其高可靠性和优异的电气性能，IXGH85N30C3也成为工业自动化、电动汽车充电器和储能系统中的常用器件。
IXGH90N30C3, IXGH80N30C3, IXFN85N30C3
