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IXGH72N60A3 发布时间 时间:2023/3/6 14:58:11 查看 阅读:336

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: TO-247AD

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

    


目录

概述

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: TO-247AD

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

    栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

    集电极最大连续电流 Ic: 78 A

    封装: Tube

    配置: Single

    最大工作温度: + 150 C

    最小工作温度: - 55 C

    安装风格: Through Hole


资料

厂商
IXYS

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IXGH72N60A3参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.35V @ 15V,60A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大540W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件