您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXGH72N60A3

IXGH72N60A3 发布时间 时间:2023/3/6 14:58:11 查看 阅读:342

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: TO-247AD

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

    


目录

概述

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: TO-247AD

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

    栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

    集电极最大连续电流 Ic: 78 A

    封装: Tube

    配置: Single

    最大工作温度: + 150 C

    最小工作温度: - 55 C

    安装风格: Through Hole


资料

厂商
IXYS

IXGH72N60A3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXGH72N60A3参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.35V @ 15V,60A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大540W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件