时间：2025/8/6 8:07:18
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IXGH64N60A3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极晶体管），适用于高电压和高电流的应用。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通压降的优点，非常适合用于电源转换器、电机控制和 UPS 系统等应用。
类型: IGBT
漏极电流 (Id): 64A
集电极-发射极击穿电压 (Vce): 600V
栅极-发射极电压 (Vge): ±20V
导通电压 (Vce_sat): 2.1V @ Ic=64A, Vge=15V
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
封装类型: TO-247
功耗 (Pd): 200W
短路耐受能力: 10μs
IXGH64N60A3 的设计采用了先进的沟槽栅和场截止技术，使其在导通压降和开关损耗之间实现了良好的平衡。其快速开关能力减少了开关损耗，提高了整体系统效率。此外，该 IGBT 具有较高的短路耐受能力，可在瞬态过载条件下提供更高的可靠性。其 TO-247 封装形式便于散热，并适用于多种电路布局。该器件还具备良好的热稳定性和抗热疲劳能力，适合在高温环境下长期运行。
在电气性能方面，IXGH64N60A3 在 64A 电流下具有较低的饱和压降（典型值 2.1V），从而减少了导通损耗。同时，其快速恢复反向并联二极管（如适用）进一步优化了高频应用中的性能。栅极驱动要求较低，可在 15V 栅极驱动电压下实现完全导通，兼容常见的 IGBT 驱动电路。
IXGH64N60A3 广泛应用于多种高功率电子设备中，包括但不限于：
- 电源转换器（如 AC-DC、DC-DC 转换器）
- 电机驱动器和变频器
- 不间断电源（UPS）系统
- 工业加热设备
- 太阳能逆变器
- 电动汽车充电系统
该 IGBT 特别适用于需要高效率和高可靠性的中高功率场合。
IXGH64N60A3D1
