时间：2025/8/7 17:45:47
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IXGH60N60C2是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高功率处理能力和低导通电阻的特性。该器件广泛应用于电源转换、电机驱动、UPS系统和工业控制等需要高效率和高性能功率开关的场合。
漏极电流（ID）：60A
漏源极电压（VDS）：600V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.19Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247AC
IXGH60N60C2的主要特性包括高耐压能力和强大的电流处理能力，这使其适用于高功率应用。其低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。器件还内置了快速恢复二极管，进一步增强了其在高频开关应用中的表现。
该器件的栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅极电压范围内稳定工作，从而简化了驱动电路的设计。同时，IXGH60N60C2具有较低的开关损耗，有助于提高电源转换器的效率并减少发热。其TO-247AC封装提供了良好的散热性能，确保了在高功率操作下的稳定性与可靠性。
IXGH60N60C2通常用于各种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制电路、不间断电源（UPS）、工业自动化系统以及电焊机等。其优异的性能使其成为许多需要高效功率转换和控制的应用中的首选器件。
IXFH60N60P、IRGPC60B、STP60N60FP
