时间：2025/8/6 7:14:32
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IXGH56N60B3是一种高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。该器件适用于需要高效能和高可靠性的应用场合，如电源转换、电机控制、UPS系统和工业自动化设备。IXGH56N60B3采用了先进的平面技术，提供了卓越的导通和开关性能。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：56A
漏-源极电压（VDS）：600V
栅极阈值电压（VGS(th)）：通常为4.5V至6.5V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.18Ω
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247AC
IXGH56N60B3具有多个关键特性，使其在众多MOSFET中脱颖而出。首先，它的高耐压能力（600V）使其适用于高电压应用。其次，低导通电阻（0.18Ω）减少了导通状态下的功率损耗，提高了效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，可以在极端温度下运行。IXGH56N60B3的封装形式（TO-247AC）有助于良好的散热，确保在高功率条件下的稳定运行。该MOSFET还具有快速开关能力，减少了开关损耗并提高了整体系统效率。
IXGH56N60B3广泛应用于多种高功率电子设备中。例如，它常用于电源供应器中的DC-DC转换器和AC-DC转换器，以提高能量转换效率。此外，该器件也用于电机驱动和控制电路，确保电机的高效运行。在UPS系统中，IXGH56N60B3用于提供稳定的电源输出。它还常见于工业自动化设备中的功率控制模块，用于实现高效的电能管理。
IXGH56N60C2D1、IXGH40N60B3、IXGH40N60C2D1
