时间：2025/8/5 23:05:06
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IXGH50N60B2D1 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）制造的高性能 N 沟道双极型晶体管（IGBT），适用于高功率开关应用。该器件结合了高电流处理能力和低导通压降的特点，使其成为工业电机控制、逆变器和电源系统等高功率应用中的理想选择。
类型：N 沟道 IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：600V
最大集电极电流（IC）：50A
短路电流能力：100A
导通压降（VCEsat）：约 2.1V（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
热阻（RthJC）：约 1.0°C/W
栅极电荷（QG）：约 90nC
短路耐受能力：5μs @ TC=25°C
IXGH50N60B2D1 采用先进的沟槽栅场截止技术，确保了低导通损耗和开关损耗之间的良好平衡。其低 VCEsat 特性减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。此外，该器件具备良好的短路耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性。
该 IGBT 还具有出色的热稳定性和高雪崩能量耐受能力，使其能够在高温和高电压环境下可靠运行。其封装形式（TO-247）支持良好的散热性能，适用于高功率密度设计。栅极驱动要求较低，便于与常见的驱动电路配合使用，降低了设计复杂度。
IXGH50N60B2D1 主要用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统，如工业电机驱动、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电焊机和感应加热设备。在电机控制应用中，它能够有效提高系统响应速度并降低能耗。在 UPS 系统中，该 IGBT 可以提供稳定的功率转换，确保电力中断时的无缝切换。太阳能逆变器中使用该器件可提高能源转换效率，从而提升整体系统性能。此外，它还广泛应用于高频电源和变频器中，以满足现代工业对高效能、小型化和智能化的需求。
IXGH40N60B2D1, IXGH50N60B3D1, FF50R60KT4_B11
