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IXGH48N60A3 发布时间 时间:2025/7/10 21:21:02 查看 阅读:7

IXGH48N60A3 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),主要适用于高频开关电源、电机驱动、逆变器以及其他高效率电力电子应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有较低的导通电阻和栅极电荷,能够在高频工作条件下保持较高的效率。
  IXGH48N60A3 的封装形式为 TO-247-3,支持大电流连续输出,并具备良好的热性能。其额定电压为 600V,能够承受较高的反向电压,同时提供高达 48A 的连续漏极电流(在特定结温下)。这款器件非常适合需要高可靠性和高效能的应用场景。

参数

额定电压:600V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:55nC
  输入电容:2000pF
  最大功耗:270W
  结温范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

IXGH48N60A3 提供了多种优异的特性,包括但不限于以下几点:
  1. 超低导通电阻(Rds(on)):在典型工作条件下,导通电阻仅为 150mΩ,从而降低了传导损耗,提高了整体效率。
  2. 高效开关性能:栅极电荷较小(55nC),能够有效降低开关损耗,使其非常适用于高频开关电路。
  3. 高耐压能力:600V 的击穿电压确保了器件在高压环境下的稳定性。
  4. 大电流处理能力:连续漏极电流可达 48A(在特定温度范围内),适合高功率应用场景。
  5. 优秀的热性能:采用 TO-247-3 封装,具有较大的散热面积,有助于提高系统的可靠性。
  6. 宽广的工作温度范围:支持 -55°C 至 175°C 的结温范围,适用于各种极端环境。

应用

IXGH48N60A3 广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS):由于其低导通电阻和高效的开关性能,该器件非常适合用作开关电源中的功率开关。
  2. 电机驱动:能够承受大电流并提供稳定的性能,适用于工业电机驱动和其他相关应用。
  3. 逆变器:用于光伏逆变场合,以实现高效的能量转换。
  4. DC/DC 转换器:适用于各种 DC/DC 转换器设计,提供高效率和高可靠性。
  5. PFC 电路:在功率因数校正电路中,IXGH48N60A3 可以显著降低损耗并提高系统效率。

替代型号

IXFH40N60T2
  IRFP460
  FDP150N10SBR

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IXGH48N60A3参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.35V @ 15V,32A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)48A
  • 功率 - 最大300W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件