IXGH40N60AA 时间：2025/8/5 19:40:56 阅读：18

IXGH40N60AA是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用TO-247封装，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换器、逆变器、电机驱动和各种高功率电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　漏极电流(Id)：40A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值为0.12Ω
　　栅极电荷(Qg)：典型值为90nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXGH40N60AA具备多项优异特性，包括高耐压和大电流承载能力，使其适用于各种高功率环境。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电路，减少开关损耗并提高响应速度。
　　该器件还采用了先进的平面技术，提供良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。TO-247封装设计有助于良好的散热性能，确保在高负载条件下也能维持较低的温度上升。此外，IXGH40N60AA具备较高的抗雪崩能力，增强了器件在瞬态过压情况下的稳定性，适用于工业电源和逆变器等对可靠性要求较高的应用场合。