时间：2025/8/5 20:49:27
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IXGH40N50是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用中。该器件具有高电流容量、低导通电阻和良好的热性能，适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和逆变器等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：40A
最大漏-源电压：500V
导通电阻（Rds(on)）：0.16Ω
栅极电压范围：±30V
最大功耗：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
IXGH40N50具有出色的导通和开关性能，其低导通电阻有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的平面技术，提供优异的热稳定性和可靠性。此外，IXGH40N50具备良好的抗雪崩能力和高耐久性，能够承受较大的电流冲击和工作温度变化。其TO-247封装形式有助于散热，适用于高功率密度设计。该MOSFET还具有快速开关速度，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。这些特性使其成为工业电源、电机驱动器和高功率电子设备的理想选择。
该器件的栅极驱动简单，适合多种驱动电路设计，同时具备较高的耐用性和稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持正常运行。此外，IXGH40N50的设计符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的应用。
IXGH40N50广泛应用于各类高功率电子系统，包括DC-DC转换器、AC-DC电源、电机控制器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、工业自动化设备以及高频开关电源。该器件还可用于电池管理系统、电焊设备、电动工具和功率放大器等需要高效功率控制的场合。
IXFH40N50P, IRFGB40N50UD, FGA40N50, FGL40N50
