IXGH36N60A3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道绝缘栅双极晶体管(IGBT),广泛用于高功率电子设备中,如电源转换器、电机控制和逆变器。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通压降的优点,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
类型:N沟道 IGBT
最大集电极-发射极电压(VCES):600V
最大集电极电流(IC):72A(在Tc=100℃时)
最大工作温度:150℃
导通压降(VCEsat):约2.1V(在IC=36A时)
输入电容(Cies):约1900pF
输出电容(Coes):约330pF
反向恢复时间(trr):约180ns
IXGH36N60A3 采用先进的沟道技术,提供较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体效率。该 IGBT 器件的封装设计支持良好的散热性能,适用于高功率密度的设计。此外,该器件具备较高的短路耐受能力,确保在恶劣条件下仍能保持稳定运行。
其快速开关特性使其非常适合用于高频应用,如电机驱动和电源转换器。同时,该 IGBT 的栅极驱动要求较低,能够与标准驱动电路兼容,简化了设计流程。
IXGH36N60A3 还具备良好的热稳定性,能够在较高温度下持续工作,而不会显著影响性能。这种特性对于需要长时间运行的工业设备尤为重要。
IXGH36N60A3 主要用于工业和电力电子设备,如变频器、不间断电源(UPS)、电焊机、感应加热设备和电机控制电路。其高效能和高可靠性使其成为电动汽车充电系统、太阳能逆变器和工业自动化控制系统中的理想选择。
FGA36N60SMD、IRGPC40K、STGY36NC60KD