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IXGH34N60B2 发布时间 时间:2025/8/6 0:25:17 查看 阅读:22

IXGH34N60B2 是一款由 IXYS 公司生产的高功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT),主要用于高电压和高电流的应用。该器件集成了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适用于各种工业电力电子设备,如逆变器、电机驱动和电源系统。IXGH34N60B2 采用了先进的平面穿通(PT)技术,提供了优异的开关性能和导通损耗特性。

参数

最大集电极-发射极电压(VCES):600V
  最大集电极电流(IC):34A(Tc=100℃)
  最大栅极-发射极电压(VGE):±20V
  导通压降(VCEsat):2.1V(典型值,IC=34A, VGE=15V)
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
  最大功耗(Ptot):140W
  短路耐受能力:5μs(典型值)

特性

IXGH34N60B2 的核心特性之一是其卓越的导通压降与开关损耗的平衡,这使得它在高频率开关应用中表现出色。该器件的导通压降在额定电流下保持在较低水平,有效降低了功率损耗并提高了系统效率。此外,IXGH34N60B2 具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏,从而增强了系统的可靠性和稳定性。
  该IGBT还具有良好的热稳定性和高耐用性,适用于高温环境下的工作条件。其封装设计优化了散热性能,确保在高功率密度应用中能够有效地将热量散发出去,从而延长器件的使用寿命。IXGH34N60B2 的栅极驱动要求较低,能够与常见的驱动电路兼容,简化了设计和应用过程。
  此外,IXGH34N60B2 内部集成了反并联二极管,进一步提高了其在不同负载条件下的适用性,特别是在感性负载应用中表现出色。这种设计减少了外部元件的需求,降低了系统的复杂性和成本。

应用

IXGH34N60B2 主要应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中。典型应用包括交流电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及各种工业自动化控制系统。在这些应用中,IXGH34N60B2 能够提供可靠的开关性能,支持高效能的电力转换和控制。
  在电机驱动领域,IXGH34N60B2 用于构建高性能的三相逆变器,实现对交流电机的精确控制。在UPS系统中,该器件用于实现高效的DC-AC转换,确保在市电中断时能够快速切换至备用电源。此外,在可再生能源系统中,如太阳能逆变器,IXGH34N60B2 可用于将光伏电池板产生的直流电转换为交流电并馈入电网。

替代型号

IXGH34N60B3, IXGH30N60B2D1

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IXGH34N60B2参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.55V @ 15V,24A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)70A
  • 功率 - 最大190W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件