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IXGH32N60BU1 发布时间 时间:2025/8/6 9:24:41 查看 阅读:13

IXGH32N60BU1 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高电压和高电流应用。这款 MOSFET 的设计使其适用于各种高功率电子设备,例如电源转换器、电机驱动器和 UPS 系统。其封装形式为 TO-247,便于在高功率应用中实现良好的散热性能。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流:32A
  漏源击穿电压:600V
  栅源电压范围:±20V
  导通电阻:0.115Ω(最大)
  功率耗散:200W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXGH32N60BU1 具有较低的导通电阻,从而减少了导通损耗并提高了整体效率。该器件采用了先进的平面技术,提供了更高的可靠性和稳定性。此外,其高电流能力和高击穿电压使其适合用于苛刻的工业环境。
  这款 MOSFET 还具备快速开关特性,减少了开关损耗,并且能够在高频率下运行,使其适用于高频开关电源设计。其封装设计有助于有效的热管理,确保在高功率操作时保持较低的工作温度。
  IXGH32N60BU1 的栅极设计允许简单的驱动电路实现,从而简化了电路设计并降低了系统成本。该器件的耐用性和热稳定性使其成为许多高功率电子应用的理想选择。

应用

IXGH32N60BU1 常用于多种高功率电子系统,包括开关电源(SMPS)、电机控制、逆变器、UPS 系统以及工业自动化设备。它也常见于焊接设备、充电器和电力调节系统中,适用于需要高效、高可靠性和高功率密度的应用场景。

替代型号

IXGH32N60BU1D1, IXFH32N60P, IXFN32N60Q

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IXGH32N60BU1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列HiPerFAST™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.3V @ 15V,32A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)60A
  • 功率 - 最大200W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装散装
  • 其它名称Q898891