时间：2025/7/26 8:01:03
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IXGH32N170是一款由IXYS公司制造的高压、高速双极性晶体管（IGBT），广泛应用于高功率电子系统中，例如电机驱动、逆变器和电源设备。这款IGBT的设计目标是在高电压和大电流条件下提供优异的性能和效率，同时保持较低的导通压降和开关损耗。其封装形式为TO-247，便于散热和安装。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（VCES）：1700V
最大集电极电流（IC）：32A（Tc=25°C）
最大工作温度：150°C
导通压降（VCEsat）：约2.1V（典型值，IC=32A时）
开关损耗（Eon/Eoff）：典型值分别为2.5mJ和4.2mJ
封装类型：TO-247
绝缘类型：无（非绝缘型）
IXGH32N170 IGBT采用先进的沟槽栅和电场阻断技术，以实现低导通压降和快速开关特性。这种设计在高电压和大电流条件下仍能保持较高的效率和较低的功率损耗。此外，该器件具有优异的热性能，能够在高工作温度下稳定运行。其TO-247封装提供了良好的散热能力，适用于需要高可靠性的工业应用。该IGBT还具备较高的短路耐受能力，使其在电机控制等瞬态负载条件下表现优异。
该器件的高速开关特性使其适用于高频逆变器和PWM控制电路，从而减少外部滤波元件的尺寸和成本。此外，IXGH32N170的动态性能在宽温度范围内保持稳定，确保系统在各种工作条件下都能可靠运行。
IXGH32N170常用于高功率电子设备，如工业电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电焊机和电动汽车充电系统。其高耐压能力和大电流容量使其成为需要高效能和高可靠性的电力电子系统中的理想选择。此外，它也适用于感应加热设备和变频空调系统中的功率转换电路。
IXGH32N170T, IXGH30N170, IXGH35N170
