IXGH30N60AA 时间：2025/8/5 18:46:12 阅读：10

IXGH30N60AA是一款高功率、高性能的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。该器件专为高效率、高频开关应用设计，适用于工业电源、电机控制、太阳能逆变器、UPS系统、焊接设备等多种电力电子系统中。IXGH30N60AA采用了先进的平面栅极技术和优化的硅芯片设计，具有较低的导通电阻和开关损耗，能够提供卓越的性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：30A
　　漏极-源极电压（VDS）：600V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.14Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247AC
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值2.1V（范围2.0V至4.0V）
　　输入电容（Ciss）：约1900pF
　　反向恢复时间（trr）：约120ns
　　短路耐受能力：具备

特性

IXGH30N60AA具有多个关键特性，使其适用于高要求的功率转换和控制应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，该器件具备高耐压能力，600V的漏极-源极电压额定值使其适用于高电压工作环境。此外，IXGH30N60AA具有良好的热稳定性和高功率耗散能力，可有效应对高功率负载下的热量积累。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，输入电容较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高系统响应速度。其反向恢复时间短，适用于需要频繁开关的应用场景。另外，该器件具备一定的短路耐受能力，在短时过载条件下仍能保持稳定工作，提高了系统的可靠性。
　　IXGH30N60AA的封装形式为TO-247AC，便于安装和散热管理，适用于各种功率模块和散热器配置。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其在极端环境条件下仍能稳定运行。

应用

IXGH30N60AA广泛应用于各类高功率电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、DC-DC转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化控制系统、焊接设备、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等。由于其高效率、高可靠性和快速开关特性，IXGH30N60AA在高频电源转换和大功率负载控制方面表现出色，是许多工业和能源管理系统中的关键组件。