IXGH30N50A 时间：2025/8/5 20:37:50 阅读：15

IXGH30N50A是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司生产。该器件专为高效率电源转换系统设计，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机控制和逆变器等应用。该MOSFET具备低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性，能够满足工业级和高可靠性应用的需求。IXGH30N50A采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：500V
　　最大漏极电流(ID)：30A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：0.12Ω（最大）
　　栅极电荷(Qg)：80nC（典型）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXGH30N50A具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其最大漏源电压达到500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的开关操作。其次，最大漏极电流为30A，这使得该器件能够处理较大的负载电流，适合高功率输出的设计。此外，导通电阻RDS(on)的最大值为0.12Ω，这一低电阻特性有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。
　　该器件的栅极电荷Qg为80nC（典型值），这一参数决定了MOSFET在开关过程中的驱动损耗。较低的Qg值意味着可以使用较小的驱动电路，降低驱动损耗并提高开关速度，从而进一步提升系统效率。IXGH30N50A还具备±20V的最大栅源电压，允许在较高的栅极电压下工作，从而确保MOSFET完全导通，减少导通损耗。
　　在热性能方面，IXGH30N50A采用TO-247封装，具有良好的散热能力，能够在高温环境下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在宽温度范围内运行，适用于工业级和高可靠性应用场景。这些特性共同使得IXGH30N50A成为高效、可靠功率转换系统中的理想选择。

应用

IXGH30N50A广泛应用于多种功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备。在开关电源中，该MOSFET可以作为主开关器件，实现高效的能量转换。在电机控制和逆变器系统中，IXGH30N50A可用于高频开关操作，提供快速响应和精确控制。此外，由于其良好的热稳定性和高耐压能力，该器件也常用于高可靠性要求的工业设备和电力电子系统中。