IXGH30N50 时间：2025/8/5 19:27:09 阅读：14

IXGH30N50 是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的应用场合。该器件具有高耐压、低导通电阻以及出色的热性能，适用于电源转换、电机控制、工业自动化和电源管理系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：30A（25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.125Ω（最大）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXGH30N50 的设计优化了其导通电阻和开关损耗，使其在高功率应用中具有更高的效率和更低的发热。其采用先进的平面MOSFET技术，确保了器件在高温和高压条件下的稳定性和可靠性。此外，该器件的封装形式（TO-247AC）提供了良好的散热性能，有助于提高整体系统的热管理能力。
　　该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行。栅极驱动电路的设计相对简单，能够兼容常见的驱动电路方案，从而简化了系统设计。此外，IXGH30N50 还具备良好的短路耐受能力，适合用于高可靠性要求的应用场景。

应用

IXGH30N50 常用于需要高电压和大电流处理能力的工业电子设备中。典型应用包括开关电源（SMPS）、逆变器、直流电机控制、太阳能逆变器、电动工具、UPS（不间断电源）系统、工业自动化设备以及高功率LED驱动器等。由于其优异的电气性能和热稳定性，该器件也适用于对可靠性和效率要求较高的新能源和电动汽车相关系统。