时间：2025/8/6 7:24:22
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IXGH28N60BD1 是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流应用。该器件采用TO-247封装，具备优异的导热性能和电气性能，广泛用于开关电源、逆变器、电机控制及工业电源系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：28A
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大0.21Ω
功率耗散（Pd）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
IXGH28N60BD1具有低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的平面技术制造，确保了优良的开关性能和耐用性。此外，其高耐压能力（600V）使其非常适合用于高电压应用。TO-247封装提供了良好的热管理和机械稳定性，便于在高功率环境中散热。
该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过电压，从而提高系统的可靠性。此外，其快速恢复二极管特性使其在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗并提升了整体性能。IXYS公司还为该器件提供了详尽的技术支持和应用指南，帮助用户更好地设计和集成。
IXGH28N60BD1常用于工业电源、直流-直流转换器、交流-直流电源适配器、电机驱动器和UPS（不间断电源）系统。它也适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器和焊接设备等高功率电子系统中。由于其优异的电气性能和可靠的封装设计，该MOSFET在需要高效能和高稳定性的应用中表现出色。
IXFH28N60P、IXTP28N60B、STP28N60DM2、IRFP460LC、FDPF28N60
