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IXGH28N60BD1 发布时间 时间:2025/8/6 7:24:22 查看 阅读:35

IXGH28N60BD1 是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高电流应用。该器件采用TO-247封装,具备优异的导热性能和电气性能,广泛用于开关电源、逆变器、电机控制及工业电源系统等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏极电流(Id):28A
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大0.21Ω
  功率耗散(Pd):300W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-247

特性

IXGH28N60BD1具有低导通电阻,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用先进的平面技术制造,确保了优良的开关性能和耐用性。此外,其高耐压能力(600V)使其非常适合用于高电压应用。TO-247封装提供了良好的热管理和机械稳定性,便于在高功率环境中散热。
  该MOSFET具备良好的抗雪崩能力,能够承受一定的瞬态过电压,从而提高系统的可靠性。此外,其快速恢复二极管特性使其在高频开关应用中表现优异,减少了开关损耗并提升了整体性能。IXYS公司还为该器件提供了详尽的技术支持和应用指南,帮助用户更好地设计和集成。

应用

IXGH28N60BD1常用于工业电源、直流-直流转换器、交流-直流电源适配器、电机驱动器和UPS(不间断电源)系统。它也适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器和焊接设备等高功率电子系统中。由于其优异的电气性能和可靠的封装设计,该MOSFET在需要高效能和高稳定性的应用中表现出色。

替代型号

IXFH28N60P、IXTP28N60B、STP28N60DM2、IRFP460LC、FDPF28N60

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IXGH28N60BD1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2V @ 15V,28A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)40A
  • 功率 - 最大150W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件