IXGH28N30 时间：2025/8/6 0:58:07 阅读：12

IXGH28N30是一种高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。该器件设计用于高电压和高电流的应用，具有良好的导通特性和快速的开关性能。IXGH28N30采用TO-247封装形式，适合在电力电子设备中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：300V
　　最大漏极电流(Id)：28A
　　最大导通电阻(Rds(on))：0.065Ω
　　最大栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXGH28N30 MOSFET具有多个重要特性，使其适用于各种高功率应用。首先，该器件的最大漏源电压为300V，能够承受较高的电压应力，适用于高电压工作环境。其次，最大漏极电流为28A，表明该器件可以处理较大的电流，适用于高功率转换器和逆变器。
　　导通电阻(Rds(on))为0.065Ω，相对较低，有助于减少导通损耗并提高效率。此外，该器件的最大栅极电压为±20V，允许使用较高的栅极驱动电压以确保完全导通或关断。IXGH28N30的封装形式为TO-247，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于工业和电力电子应用。
　　工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，使其能够在极端环境条件下可靠运行。这种MOSFET的快速开关特性也有助于减少开关损耗，并提高整体系统的效率。

应用

IXGH28N30 MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及电池充电器等。由于其高电压和高电流处理能力，该器件特别适用于需要高功率密度和高效能的系统。此外，IXGH28N30还可用于工业自动化设备、电动汽车充电系统和太阳能逆变器等领域。