类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：900V
　　最大栅源电压(VGS)：±30V
　　连续漏极电流(ID)：25A
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为0.22Ω
　　栅极电荷(Qg)：典型值为85nC
　　最大耗散功率(PD)：400W

IXGH25N90A的高性能特性使其成为电力电子应用中的理想选择。
　　首先，该MOSFET具有高达900V的漏源电压，能够承受高电压应力，适用于高压直流电源、逆变器和电源管理系统。
　　其次，器件的导通电阻（RDS(on)）非常低，通常为0.22Ω，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
　　此外，IXGH25N90A的快速开关特性（包括短的开关时间和低的栅极电荷Qg）有助于降低开关损耗，提高整体系统的动态性能。
　　该器件还具备良好的热稳定性，TO-247封装提供了优异的散热能力，确保在高功率应用中长时间稳定运行。
　　最后，该MOSFET具有较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定工作。

IXGH25N90A适用于多种高功率和高电压的电力电子系统。
　　在电源管理领域，该器件可用于高压开关电源、DC-DC转换器和UPS（不间断电源）系统，提供高效的能量转换和稳定的电压输出。
　　在工业自动化中，IXGH25N90A可作为电机驱动器和逆变器的核心元件，实现精确的电机控制和节能运行。
　　此外，该MOSFET也广泛应用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统，满足新能源领域对高可靠性和高效率的需求。
　　在家用电器方面，该器件可用于电磁炉、变频空调等高功率设备，提高能效并减小设备体积。
　　同时，IXGH25N90A也适用于高频感应加热系统和电焊设备等特殊工业应用。

STF25N90K5, FCP25N90, SPW25N90C3