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IXGH25N90 发布时间 时间:2025/8/5 17:39:04 查看 阅读:14

IXGH25N90是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电源转换系统中。该器件采用TO-247封装形式,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于诸如开关电源(SMPS)、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等高功率应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):900V
  最大漏极电流(ID):25A
  导通电阻(RDS(on)):0.32Ω(最大值)
  栅极电荷(Qg):110nC(典型值)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247
  最大功率耗散:200W

特性

IXGH25N90具有优异的电气特性和可靠性,适用于高电压和高功率的应用场景。其主要特性包括:
  1. 高耐压能力:IXGH25N90的漏源击穿电压高达900V,使其能够在高电压环境中稳定运行,适用于高压电源转换系统。
  2. 低导通电阻:该器件的导通电阻仅为0.32Ω,可以有效降低导通损耗,提高整体系统效率。这在高电流应用中尤为重要,因为它能够减少发热并提高能量传输效率。
  3. 快速开关性能:IXGH25N90具有较低的栅极电荷(Qg),能够在高频率下实现快速开关,适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。快速开关能力有助于减少开关损耗,提高系统的动态响应能力。
  4. 高功率处理能力:由于其封装设计和热性能优化,IXGH25N90能够处理高达200W的功率,适合需要高功率密度的设计。其良好的散热性能确保了在高负载条件下依然能够保持稳定运行。
  5. 宽工作温度范围:该器件支持从-55°C到+150°C的宽温度范围,适应各种严苛的工业和环境条件,具有较高的可靠性和耐用性。
  6. 高可靠性设计:IXGH25N90采用了IXYS的先进技术,确保了在长期运行中的稳定性和可靠性。其封装材料和内部结构设计能够有效抵抗机械应力和热应力,延长器件的使用寿命。

应用

IXGH25N90适用于多种高功率和高电压的电子系统设计,具体应用包括:
  1. 开关电源(SMPS):由于其高耐压能力和低导通电阻,IXGH25N90非常适合用于高功率开关电源的设计,能够提供高效的能量转换并减少发热。
  2. 逆变器:在逆变器系统中,IXGH25N90可以用于将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电机驱动逆变器等应用。
  3. DC-DC转换器:该器件的快速开关特性和低导通损耗使其成为高效DC-DC转换器的理想选择,特别是在需要高输入电压和大输出电流的场景中。
  4. 电机控制:IXGH25N90能够承受高电压和大电流,因此在电机驱动和控制电路中得到了广泛应用,特别是在需要精确控制和高功率输出的工业电机应用中。
  5. 工业自动化和电力电子设备:由于其宽温度范围和高可靠性,IXGH25N90可以用于工业自动化设备、电力调节器和其他需要高功率处理能力的电子设备中。

替代型号

IXFH24N90, IXTP24N90, IRF840, STF9N90

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