类型：N沟道MOSFET
　　漏源击穿电压(VDS)：800V
　　栅源击穿电压(VGS)：±30V
　　漏极电流(ID)：25A
　　导通电阻(RDS(on))：0.26Ω（典型值）
　　功率耗散(PD)：170W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　输入电容(Ciss)：1300pF（典型值）
　　开启电压(VGS(th))：2.1V至4.0V

IXGH25N80 MOSFET具有多个显著特性，使其适用于高要求的电力电子应用。首先，其高耐压能力（800V VDS）使其适用于高电压系统，例如高压电源转换器和电机驱动器。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.26Ω，能够有效减少导通损耗，提高系统效率。此外，IXGH25N80采用了先进的平面技术，提供良好的热稳定性和可靠性。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，输入电容为1300pF，有助于减少开关损耗，提高工作频率。同时，其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定的温度表现。最后，该器件具备较高的抗雪崩能力，能够在极端条件下提供额外的安全保障，避免因瞬态过电压导致的损坏。

IXGH25N80广泛应用于多个高功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车充电器）。由于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，IXGH25N80特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换电路。此外，它也常用于需要高频操作的DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路中。

STF25N80K5, FQA25N80, IRFGB40N80KPBF