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IXGH24N170AH1 发布时间 时间:2025/12/26 20:39:05 查看 阅读:7

IXGH24N170AH1是一款由IXYS公司生产的高电压、大电流双极性晶体管(BJT),专为高功率开关和工业控制应用设计。该器件采用先进的平面和平面外延工艺制造,具有优异的热稳定性和高可靠性。IXGH24N170AH1的封装形式为SOT-227B(MiniBLOC),便于安装在散热器上,适用于需要高效散热的大功率系统。该晶体管的最大集电极电流可达24A,集电极-发射极击穿电压高达1700V,适合用于高电压环境下的电力电子设备中,如逆变器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、焊接设备以及感应加热系统等。其高增益特性使得驱动电路设计更加简便,同时具备良好的开关性能,能够在高频条件下稳定工作。此外,该器件还具有较低的饱和压降,有助于减少导通损耗,提高系统整体效率。由于其坚固的结构设计和优良的电气参数,IXGH24N170AH1在恶劣工作环境下仍能保持稳定的性能表现,是工业级高功率应用中的理想选择之一。

参数

类型:NPN双极性晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):1700V
  最大集电极电流(IC):24A
  最大基极电流(IB):8A
  最大耗散功率(PC):350W(Tc=25°C)
  集电极-发射极饱和压降(VCE(sat)):典型值4.0V(IC=24A, IB=2.4A)
  直流电流增益(hFE):最小值8(IC=12A, VCE=10V)
  开启时间(ton):典型值2.0μs
  关断时间(toff):典型值6.0μs
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-227B(MiniBLOC)

特性

IXGH24N170AH1具备高电压耐受能力,其集电极-发射极击穿电压高达1700V,能够在极端高压环境下可靠运行,适用于高压直流输电、工业电源及大型电机控制系统等应用场景。该器件采用优化的平面外延技术制造,确保了良好的载流子迁移特性和低漏电流水平,在高温和高电压条件下仍能维持稳定的电气性能。其最大连续集电极电流可达24A,并可承受瞬时过载电流,满足高功率脉冲操作需求。得益于较高的直流电流增益(hFE),该晶体管在正常工作状态下所需的基极驱动电流相对较小,从而简化了驱动电路的设计并降低了外围元件的成本与复杂度。器件的饱和压降较低,典型值为4.0V(在IC=24A、IB=2.4A条件下),有效减少了导通期间的功率损耗,提高了系统的能量转换效率。
  该晶体管具有快速的开关响应能力,开启时间典型值为2.0微秒,关断时间为6.0微秒,适合用于中频至高频开关操作,例如在PWM控制的逆变器或DC-AC转换器中表现出色。其SOT-227B封装不仅体积紧凑,而且具有出色的热传导性能,能够通过外部散热器将内部热量迅速导出,保障长时间高负荷运行下的热稳定性。该封装还支持模块化安装方式,便于实现多管并联使用以提升系统功率等级。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,适应严苛的工业环境条件,包括高温车间、户外电力设施以及频繁启停的重载设备。此外,IXGH24N170AH1经过严格的质量控制和可靠性测试,符合工业级标准,具备较强的抗干扰能力和长期运行稳定性,是高性能功率开关应用中的优选器件。

应用

IXGH24N170AH1广泛应用于各类高功率电力电子系统中,尤其适用于需要高电压和大电流处理能力的工业设备。典型应用包括交流和直流电机驱动器,其中该晶体管作为主开关元件参与PWM调制过程,实现对电机速度和转矩的精确控制。在不间断电源(UPS)系统中,它可用于逆变器级的功率转换,将直流电高效地转换为纯净的正弦波交流输出,保障关键负载的持续供电。该器件也常见于焊接电源设备,如MIG/MAG焊机和TIG焊机,利用其快速开关特性和高电流承载能力提供稳定的电弧控制。此外,在感应加热系统中,IXGH24N170AH1可用于构建谐振逆变电路,驱动加热线圈产生高频交变磁场,实现金属材料的快速加热或熔炼。
  在太阳能逆变器和风力发电变流器等可再生能源系统中,该晶体管可用于DC-AC转换环节,尤其是在中等功率等级的应用中发挥重要作用。其高耐压特性使其适用于连接高压直流母线的场合,增强了系统的安全裕度。同时,该器件也可用于高压电源供应器、X射线发生器、激光电源以及电化学处理设备等特种工业电源领域。由于其良好的热管理和可靠的封装结构,IXGH24N170AH1特别适合部署在需要长期连续运行且维护周期较长的自动化生产线或远程监控站点中。总之,凭借其卓越的电气性能和坚固的物理结构,IXGH24N170AH1在多种高要求的工业电力控制场景中均展现出优异的适用性与可靠性。

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IXGH24N170AH1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)6V @ 15V,16A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)24A
  • 功率 - 最大250W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件