IXGH20N30 时间：2025/8/5 22:29:04 阅读：17

IXGH20N30 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势，广泛应用于电机控制、电源变换、逆变器、UPS 系统以及工业自动化设备中。

参数

类型：N 沟道 IGBT
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：300V
　　最大集电极电流（IC）：20A
　　短路电流能力：40A（100μs）
　　栅极-发射极电压范围（VGE）：±20V
　　导通压降（VCEsat）：约 1.5V（在 IC=20A 时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXGH20N30 具备出色的导通性能和快速开关特性，其低饱和压降（VCEsat）有助于降低功率损耗，提高系统效率。
　　该器件的短路承受能力可达 40A，持续时间达 100μs，提高了在异常工况下的可靠性。
　　此外，IXGH20N30 具有良好的热稳定性，可在高温环境下稳定运行，适用于工业级应用需求。
　　其 TO-247 封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热片上以提升热管理能力。
　　该 IGBT 的栅极驱动简单，兼容标准的 15V 驱动电压，降低了驱动电路的设计复杂度。
　　整体上，IXGH20N30 是一款性能稳定、适用范围广的功率器件，适合多种中高功率电力电子系统。

应用

IXGH20N30 主要用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统，如无刷直流电机驱动、感应加热设备、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机以及各种工业控制和电源转换装置。
　　其高耐压和大电流能力使其成为电机控制和电源变换领域的重要元件。
　　在电动汽车充电设备、智能电网系统以及自动化生产线中也有广泛应用。