您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXGH20N160

IXGH20N160 发布时间 时间:2025/8/5 22:12:32 查看 阅读:43

IXGH20N160是一款由IXYS公司制造的高功率双极型晶体管(IGBT)芯片,广泛应用于电力电子领域,如电机驱动、逆变器和电源转换设备。该器件具有高电流容量和耐高压能力,适用于要求高可靠性和高效能的应用场景。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压(VCES):1600V
  额定集电极电流(IC):20A
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247、TO-264等
  短路耐受能力:典型值为10μs
  导通压降(VCEsat):约2.1V(在IC=20A时)
  绝缘等级:增强型绝缘

特性

IXGH20N160具有多项优异的电气和热性能特性。其高击穿电压(1600V)和额定集电极电流(20A)使其适用于中高功率应用。该IGBT器件的导通压降较低,有助于减少功率损耗,提高系统效率。此外,它具备良好的短路耐受能力,确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。
  该芯片采用了先进的平面栅极技术和优化的芯片结构,提升了开关性能和热稳定性。IXGH20N160的工作温度范围宽广(从-55°C到+150°C),使其适用于各种恶劣环境。同时,其封装设计具备良好的散热能力,有助于提高器件的可靠性和寿命。

应用

IXGH20N160常用于各类电力电子系统中,包括工业电机驱动、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电焊机和高频电源等。该IGBT器件也适用于需要高电压和中等电流能力的开关电源设计。在新能源汽车和智能电网等领域,IXGH20N160也具备广泛的应用前景。

替代型号

IXGH20N120, IXGH15N160

IXGH20N160推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXGH20N160参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)-
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)40A
  • 功率 - 最大-
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247AD
  • 包装管件