型号：IXGH16N60C2D1
　　器件类型：IGBT + 反并联二极管
　　集射极击穿电压（BVCES）：600 V
　　额定集电极电流（IC @ Tc=25℃）：16 A
　　连续集电极电流（IC @ Tc=100℃）：8 A
　　峰值集电极电流（ICM）：32 A
　　栅极-发射极电压范围（VGES）：±20 V
　　饱和压降（VCE(sat) @ IC=16A, VGE=15V）：2.0 V（典型值）
　　开关时间（开启时间 ton）：45 ns
　　开关时间（关断时间 toff）：70 ns
　　输入电容（Cies）：1900 pF
　　输出电容（Coes）：350 pF
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 150 ℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55 至 150 ℃
　　封装形式：D2-PAK（TO-263AB）
　　安装方式：表面贴装

IXGH16N60C2D1采用了先进的穿通型（PT）IGBT结构设计，结合优化的载流子分布与掺杂工艺，在保证高耐压能力的同时实现了较低的导通压降和开关损耗。其典型的VCE(sat)仅为2.0V，在16A的工作电流下显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统能效。
　　该器件具备快速的开关响应能力，开通时间ton约为45ns，关断时间toff约为70ns，使其适用于工作频率高达数十kHz的高频PWM控制场景，如DC-AC逆变器和数字电源系统。快速开关特性配合集成的快速恢复二极管（trr≈45ns），可在高频切换过程中有效减少换流期间的能量损耗，并抑制因反向恢复引起的电压振荡与电磁干扰（EMI）。
　　集成的反并联二极管为超快速软恢复类型，具有较低的反向恢复电荷Qrr和软恢复系数S，能够在感性负载或桥式电路中实现平滑的续流过程，降低换向过程中的应力冲击，保护IGBT本体免受过压损坏，从而增强整个功率模块的可靠性和寿命。
　　器件采用D2-PAK封装，具有优良的热传导性能和较小的热阻（Rth(j-c)），便于通过PCB铜箔或散热片进行高效散热。该封装无引脚设计也提高了抗振动能力，适用于工业环境中的恶劣工况。同时支持自动贴片生产，有利于大规模制造中的自动化装配与一致性控制。
　　IXGH16N60C2D1还具备良好的雪崩能量耐受能力和短路耐受能力，在非理想工作条件下仍能保持一定安全裕度，适合用于对可靠性要求较高的工业驱动与电源系统。其宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃）也确保了在高低温环境下稳定运行。

IXGH16N60C2D1广泛应用于各类中等功率电力电子变换装置中。典型应用包括交流电机驱动器、直流电机控制器、不间断电源（UPS）、逆变焊机、感应加热设备、太阳能微型逆变器以及开关模式电源（SMPS）等。在H桥或半桥拓扑结构中，该器件常被用作主开关元件，利用其高耐压、大电流和快速开关特性实现高效的能量转换。其集成的快速恢复二极管简化了外围电路设计，无需额外并联续流二极管，减少了元件数量和PCB布局复杂度。在工业自动化控制系统中，IXGH16N60C2D1可用于变频器输出级，驱动三相感应电机，提供精确的速度与转矩控制。此外，在电动汽车车载充电器（OBC）辅助电源、LED路灯电源及电能质量治理设备中也有广泛应用。得益于其表面贴装封装形式，该器件特别适用于需要紧凑结构与良好散热性能的设计方案。

IXGH16N60C3D1
　　IXGN16N60C2D1
　　IRGPC40K
　　FGL16N60SFD