时间：2025/8/6 8:28:45
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IXGH12N60CD1是一款由IXYS公司制造的高电压、高电流功率MOSFET晶体管，采用TO-247封装形式，适用于高功率开关应用。该器件具备快速开关特性和低导通电阻，广泛用于电源转换器、电机控制和工业设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：0.42Ω
最大功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极电荷（Qg）：58nC
输入电容（Ciss）：1500pF
封装形式：TO-247
IXGH12N60CD1具有低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力（600V）使其适用于各种高电压应用场景。该MOSFET具备出色的热稳定性，能够在高负载条件下可靠运行。此外，它具有快速开关速度，有助于降低开关损耗，提高电源转换效率。器件内部采用先进的沟槽栅技术，优化了导通和开关性能之间的平衡。同时，该器件具备良好的雪崩能量承受能力，提高了在高压冲击条件下的可靠性。
在封装方面，TO-247封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合在高功率密度设计中使用。该封装也便于安装散热片，从而进一步提升散热能力。此外，IXGH12N60CD1具备较强的抗干扰能力，能够适应复杂的电磁环境，确保稳定运行。
IXGH12N60CD1常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、工业自动化设备、UPS不间断电源系统、照明控制系统以及各种高功率电子设备。由于其高电压和高电流能力，该器件在电力电子系统中广泛用于主开关元件。
IXGH15N60CD1, IRF840, FDPF12N60, STP12N60
