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IXGH12N120A2D1 发布时间 时间:2025/8/5 23:29:55 查看 阅读:19

IXGH12N120A2D1是一款由IXYS公司制造的高功率双极性晶体管(IGBT)芯片。该芯片专为高电压和高电流的应用设计,具备优良的导通和开关性能。IXGH12N120A2D1采用了先进的芯片技术,使其能够在高工作电压和大电流条件下保持稳定运行,适用于工业控制、电源转换、电机驱动等领域。

参数

集电极-发射极电压(VCES):1200V
  集电极电流(IC):12A
  短路电流能力:48A
  最大工作温度:150℃
  封装类型:TO-247
  导通压降(VCE_sat):2.1V(典型值)
  输入电容(Cies):600pF
  开关损耗(Eon/Eoff):3.2μJ/2.8μJ(典型值)
  绝缘等级:符合UL认证

特性

IXGH12N120A2D1具有多项优异的特性,使其适用于高要求的电力电子应用。首先,其高电压耐受能力达到1200V,可以在高压环境下稳定运行,适合用于高电压电源转换系统。其次,该IGBT的集电极电流为12A,支持较大的负载电流,适用于中高功率的应用场景。
  此外,IXGH12N120A2D1的导通压降(VCE_sat)典型值为2.1V,具有较低的导通损耗,有助于提高系统效率。同时,其开关损耗较低,Eon为3.2μJ,Eoff为2.8μJ,使得该器件在高频开关应用中表现出色,降低了能量损耗并提高了整体性能。
  该器件的输入电容为600pF,有助于降低输入端的噪声干扰,提高系统的稳定性。IXGH12N120A2D1的最大工作温度可达150℃,具有良好的热稳定性,能够在高温环境下长时间运行而不发生性能下降。
  封装方面,IXGH12N120A2D1采用TO-247封装形式,具备良好的散热性能和机械强度,适合工业级应用需求。该封装还支持良好的电气绝缘,符合UL认证标准,确保了器件的安全性和可靠性。

应用

IXGH12N120A2D1广泛应用于各种电力电子系统中,特别是在需要高电压和高电流能力的场合。其主要应用领域包括工业电机驱动、逆变器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、焊接设备以及高功率电源转换系统。
  在工业电机驱动方面,IXGH12N120A2D1的高电流能力和低导通压降使其成为三相逆变器的理想选择,能够有效提高电机的效率和响应速度。在UPS系统中,该IGBT可以用于DC-AC逆变器模块,实现高效的能量转换和稳定的输出电压。
  在可再生能源领域,如太阳能逆变器,IXGH12N120A2D1的高效率和低损耗特性有助于提高系统的整体能量转换效率,降低运行成本。同时,该器件也可用于焊接电源中,提供稳定的电流输出和快速的开关响应,满足焊接工艺的高要求。
  此外,IXGH12N120A2D1还可用于各种高功率开关电源和工业自动化控制系统,确保设备在高负荷条件下稳定运行,并提升整体系统的能效和可靠性。

替代型号

IXGH15N120A2D1, IXGH10N120A2D1

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IXGH12N120A2D1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)-
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)12A
  • 功率 - 最大-
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件