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IXGH120N30B3 发布时间 时间:2025/8/6 7:48:59 查看 阅读:32

IXGH120N30B3是一款由IXYS公司生产的高功率双极型晶体管(BJT),专门设计用于高电流和高电压应用场景。该器件具备卓越的热性能和可靠性,适用于工业电机控制、电源转换以及焊接设备等高功率应用领域。该晶体管采用TO-247封装,具有良好的散热能力,能够在高电流和高电压条件下稳定工作。

参数

类型:NPN双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(Vce):300V
  最大集电极电流(Ic):120A
  最大功耗(Ptot):300W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXGH120N30B3晶体管具备优异的导通和开关性能,能够在高电压和高电流条件下保持较低的导通压降,从而提高系统的整体效率。其高耐压能力和大电流承载能力使其适用于各种高功率电子设备。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下长时间运行而不会出现性能下降或失效。该晶体管还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,能够有效降低开关损耗并提高系统响应速度。
  为了确保长期运行的可靠性,IXGH120N30B3采用了先进的芯片制造工艺和高纯度材料,能够在恶劣的工作环境下保持稳定。其TO-247封装设计不仅提供了良好的散热性能,还便于在PCB上安装和使用。此外,该晶体管具有较高的短路耐受能力,可以在短时间内承受较大的过载电流而不损坏。

应用

IXGH120N30B3广泛应用于高功率开关电源、电机控制、逆变器、焊接设备、UPS不间断电源系统以及工业自动化控制系统等领域。由于其高电流和高电压处理能力,该晶体管特别适合用于需要大功率输出的电力电子变换器和直流-直流转换器中。此外,它还可以用于音频功率放大器、电源管理模块以及各种需要高效能功率晶体管的电子设备。

替代型号

IXGH100N30B3, IXGH150N30B3, IXGH120N60B2

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IXGH120N30B3参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列GenX3™
  • IGBT 类型PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)1.7V @ 15V,120A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最大540W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件