类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：10A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：0.55Ω（最大值）
　　功率耗散(Pd)：170W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-247

IXGH10N50U1具有多项优良的电气和物理特性，首先是其高耐压能力，最大漏源电压可达500V，这使得该器件适用于高电压开关和功率转换应用。其次，该MOSFET的导通电阻较低，最大值为0.55Ω，能够在导通状态下降低功耗并提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，最大功率耗散为170W，可在高负载条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围为±20V，适用于多种标准和逻辑电平驱动电路。TO-247封装形式不仅具备良好的散热性能，还便于安装在散热片或散热器上，以提高整体散热效率。
　　在动态性能方面，IXGH10N50U1具有较快的开关速度，能够满足高频开关电源和DC-DC转换器的需求。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），有助于降低驱动损耗并提高开关效率。器件内部采用了优化的结构设计，提高了短路耐受能力和抗过载能力，从而增强了系统的可靠性。IXGH10N50U1还具有良好的抗静电能力和过温保护能力，可在严苛环境下稳定运行。

该器件主要应用于各种高电压和高功率电子系统中，例如工业电源、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器和电子负载控制等。在太阳能逆变系统中，IXGH10N50U1可用于DC-AC转换环节，实现高效的能量转换。在电机控制领域，该MOSFET可作为功率开关用于驱动直流或交流电机，并提供稳定的电流控制能力。此外，在高压LED驱动、电焊设备和电镀电源等应用中，IXGH10N50U1也能够提供可靠的功率开关功能。

STP10N50M5, FQA10N50C, IRFP460LC