时间：2025/8/6 9:46:08
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IXGH10N170A是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管，专为高电压和高电流应用设计。该器件采用了先进的U-MOS技术，提供了优异的导通和开关性能，适用于各种高功率电子设备，如电源转换器、电机驱动器和工业自动化系统。IXGH10N170A的封装形式为TO-247，便于散热和安装，确保在高功率条件下的稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：10A
最大漏-源电压：1700V
栅极驱动电压：10V
导通电阻：1.25Ω
功率耗散：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
IXGH10N170A具有多项优异的电气和机械特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高漏-源电压能力（1700V）使其适用于高电压环境，确保设备在高压下的可靠运行。其次，导通电阻为1.25Ω，这在高功率MOSFET中属于较低水平，能够有效减少导通损耗，提高整体系统效率。
此外，该器件的栅极驱动电压为10V，确保了良好的导通性能，同时降低了开关损耗。IXGH10N170A的最大漏极电流为10A，能够在高电流条件下稳定工作，适用于需要高功率密度的设计。
IXGH10N170A因其高电压和高电流能力，广泛应用于多个高功率电子系统中。首先，在电源转换器领域，该器件适用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块以及高功率开关电源的设计，能够有效提高转换效率并减少能量损耗。其次，在电机驱动器中，IXGH10N170A可用于控制高功率电机的运行，提供稳定的电流输出并减少发热问题。
IXFH10N170P, IXTP10N170A
