IXGE75N50Z 时间：2025/8/5 20:32:08 阅读：32

IXGE75N50Z是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管，主要用于需要高电压和高电流能力的功率电子设备中。该器件基于先进的HiPerMOS技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能。IXGE75N50Z广泛应用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器、UPS系统以及新能源领域，例如太阳能逆变器和电动汽车充电设备。由于其卓越的性能和可靠性，这款MOSFET成为许多高功率应用中的首选器件。

参数

类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
　　封装类型：TO-247
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：75A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.075Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：160nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散（Ptot）：300W
　　漏源击穿电压（BVDSS）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V

特性

IXGE75N50Z具有多项先进特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其导通电阻非常低，仅为0.075Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用先进的封装技术，提供了良好的散热性能，使其能够在高电流条件下稳定运行。此外，IXGE75N50Z具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定，增强系统的可靠性。该器件的高栅极电荷特性（Qg为160nC）使其适用于高频开关应用，从而减少外围元件的尺寸和成本。同时，其宽工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在各种环境条件下的稳定运行。最后，IXGE75N50Z的结构设计优化了开关损耗，减少了电磁干扰（EMI），从而提高了整体系统的性能。

应用

IXGE75N50Z广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动和控制、DC-DC转换器以及可再生能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车充电器。此外，它还适用于需要高效功率转换和高可靠性的应用，例如焊接设备、电镀电源和高功率LED照明系统。由于其优异的性能，IXGE75N50Z也被用于高功率音频放大器和电力储能系统。