时间：2025/8/5 19:54:20
阅读：21
IXGE50N80Z是一款由德国英飞凌（Infineon）公司生产的高性能N沟道功率MOSFET晶体管，属于CoolMOS系列，广泛应用于电源转换、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及工业电机控制等领域。该器件采用了先进的超结（Super Junction）技术，具有导通损耗低、开关速度快和高能效的特点。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：50A
漏源击穿电压（VDS）：800V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.165Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
IXGE50N80Z的性能优势主要体现在其采用了英飞凌的CoolMOS技术，这使得该MOSFET在高电压应用中表现出优异的导通和开关特性。其导通电阻（RDS(on)）非常低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速的开关速度，适用于高频开关应用，从而减小了外部电感和电容的尺寸，提升了电源系统的功率密度。
另一个显著特点是其高雪崩能量耐受能力，这使得IXGE50N80Z在面对突发电压或电流冲击时具有更强的稳定性和可靠性。此外，该MOSFET的栅极设计优化了驱动损耗，使得控制电路更加高效。
IXGE50N80Z还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作，适用于工业级应用对可靠性的高要求。
IXGE50N80Z常用于各类高功率开关电源系统中，如服务器电源、通信电源、工业自动化设备、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等。此外，它还适用于DC-DC转换器、电机驱动器以及需要高效率、高可靠性的功率控制电路。
IXFH50N80P, IXFK50N80Q, STF8NM80, FCP80N80
